Keywords: 電子温度
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課題「次世代半導体微細加工の基盤技術研究開発」内の「レーザープラズマ計測とEUV計測技術開発」
EUV露光に関連する最先端の技術を有する機関と人材を結集し、次世代半導体技術の更なる発展に不可欠とされる革新的基盤技術の研究開発プロジェクトが2025年4月に始動した(全体の研究代表者は理研の緑川克美特別顧問)。研究課題は主に、新規レーザー、EUV用ミラー、後工程用レーザー微細加工技術の開発となる。この中で富田はレーザーで生成されるEUV光源用プラズマの計測と最適化技術の開発を担います。
富田 健太郎, 緑川 克美
経済安全保障重要技術育成プログラム(Kprogram) R7.4.1~R9.3.31